露光装置、露光方法、および半導体デバイスの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：永井冬紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-288399
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110710
出願日： 1999年10月08日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】時間変化する光学系の透過率変化に拘らず感光性基板上の露光光の照度を目標値とする。【解決手段】1〜3枚目のウエハ25を露光するとき、露光開始前に100個のパルス光を発光するダミー照射を行う。ダミー照射を行う前と後に透過率計測用のパルス光を発光して、インテグレータセンサ10と照度センサ28の出力信号を取込んで光学系の透過率を算出する。算出した2つの透過率から透過率時間変化予測特性Cmを算出する。4枚目のウエハ25を露光するとき、3枚目のウエハ25を露光する前と後に算出した光学系の2つの透過率から透過率時間変化予測特性D4(図7)を算出し、3枚目のウエハ25に露光した後の透過率と4枚目のウエハ25に露光を開始する前の透過率の差Δd34(図7)で補正した透過率時間変化予測特性E4(図7)を算出する。5枚目以降も同様に算出する。算出された透過率時間変化予測特性に基づいて光学系の透過率を露光経過時間によって算出し、露光時の露光光の強度を制御する。

請求項（抜粋）：

露光光の光路中に配置された光学系を介して、前記露光光で照明されたパターンの像を所定面上に転写する露光方法において、第1の所定面に前記パターンの像を転写する前に、前記光学系を通過する前記露光光の第1の減衰率を測定し、前記第1の所定面に前記パターンの像を転写した後、前記光学系を通過する前記露光光の第2の減衰率を測定し、前記第1の所定面とは異なる第2の所定面に前記パターンの像を転写する前に、前記光学系を通過する前記露光光の第3の減衰率を測定し、前記第1、第2、第3の減衰率に基づいて前記第2の所定面に対する前記露光光の露光量を制御することを特徴とする露光方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 502 , G03F 7/20 521

FI (3件)：

G03F 7/20 502 , G03F 7/20 521 , H01L 21/30 516 D

Fターム (24件)：

2H097AB09 , 2H097BA04 , 2H097BB01 , 2H097CA13 , 2H097GB01 , 2H097LA10 , 2H097LA12 , 5F046AA22 , 5F046BA05 , 5F046CA04 , 5F046CA05 , 5F046CB02 , 5F046CB05 , 5F046CB08 , 5F046CB13 , 5F046CB23 , 5F046DA01 , 5F046DA02 , 5F046DA04 , 5F046DA26 , 5F046DB01 , 5F046DB12 , 5F046DC02 , 5F046DC12

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