特許
J-GLOBAL ID:200903011670127653

樹脂封止型半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 山崎 宏 ,  前田 厚司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-196770
公開番号(公開出願番号):特開2008-028017
出願日: 2006年07月19日
公開日(公表日): 2008年02月07日
要約:
【課題】使用中の温度変動時に封止樹脂の剥離を防止できると共に外部からの応力によって封止樹脂が損傷することを防止でき、信頼性を向上できる透光性樹脂封止型半導体装置を提供する。【解決手段】リードフレーム12,光半導体素子チップ11を封止する第1の樹脂体14のガラス転移温度を第1の樹脂体14を封止する第2の樹脂体15のガラス転移温度よりも高くした。よって、使用中の温度変動時に、光半導体素子チップ11を封止する第1の樹脂体14はガラス転移が起こり難いので、半導体素子チップ11,リードフレーム12に強い応力が加わることを回避できる。また、ガラス転移温度が高いことで脆くなる傾向のある第1の樹脂体14を第2の樹脂体15で封止したので、外部からの応力による封止樹脂の損傷を防止できる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
光半導体素子チップと、 上記光半導体素子チップが搭載されるリードフレームと、 上記光半導体素子チップを封止すると共に第1の透光性樹脂で作製された第1の樹脂体と、 上記第1の樹脂体の少なくとも一部を被覆すると共に第2の透光性樹脂で作製された第2の樹脂体とを備え、 上記第1の透光性樹脂のガラス転移温度が上記第2の透光性樹脂のガラス転移温度よりも高いことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (2件):
H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (1件):
H01L23/30 B
Fターム (10件):
4M109AA02 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109EA02 ,  4M109EA10 ,  4M109EB12 ,  4M109EC03 ,  4M109EC11 ,  4M109EE01 ,  4M109GA01
引用特許:
出願人引用 (3件)
  • 特開平3-204963号公報
  • 特開平4-157759号公報
  • 特開平4-364791号公報

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