特許

J-GLOBAL ID：200903011671315364

酸化錫三元機能薄膜及びその製造方法

発明者： 金子 正治 ,  村上 健司
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 小倉 亘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-225830
公開番号（公開出願番号）：特開平10-053418
出願日： 1996年08月07日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】【目的】 選択的配向性,透明性,導電性に優れ、透明電極,結晶基板等として使用される酸化錫機能薄膜を提供する。【構成】 ガラス基板上にジブチル錫ジアセテートの有機溶媒液のスプレー熱分解法により、(200)面に選択的に配向した酸化錫膜(TO)を形成し、更に該有機溶媒液にアンチモン又はフッ素等の錫又は酸素より最外殻電子数が一つ多い元素を添加した溶液のスプレー熱分解により、アンチモン又はフッ素等の錫又は酸素より最外殻電子数が一つ多い元素を含む酸化錫膜(ATO又はFTO)を形成する。【効果】 (200)面に選択的に配向した酸化錫膜上の(ATO又はFTO)の(200)面の選択的配向性が増強され、かつ導電性及び透明性にも優れた薄酸化錫膜となる。

請求項（抜粋）：

ガラス基板上にジブチル錫ジアセテートの熱分解法によって(200)面に選択的に配向して形成された酸化錫膜、及びジブチル錫ジアセテートの熱分解法によって(200)面に選択的に配向して形成され、かつアンチモン又はフッ素等の錫又は酸素より最外殻電子数が一つ多い元素を含む酸化錫膜が積層され、透明性,導電性及び配向性の三元機能を備えた酸化錫薄膜。

IPC (5件)：

C01G 19/02 ,  B01J 19/00 ,  C01G 19/00 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00 503

FI (5件)：

C01G 19/02 C ,  B01J 19/00 K ,  C01G 19/00 A ,  H01B 5/14 A ,  H01B 13/00 503 C