特許
J-GLOBAL ID:200903011672963858
酸化セリウム研磨剤及びこれを用いた基板の研磨方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
三好 秀和 (外8名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-073685
公開番号(公開出願番号):特開2002-280334
出願日: 2001年03月15日
公開日(公表日): 2002年09月27日
要約:
【要約】【課題】 配線パターンによる凹凸を有する半導体基板の被研磨面内全体での高平坦化を可能にする酸化セリウム研磨剤および基板の研磨方法を提供する。【解決手段】 本発明は、酸化セリウム粒子と、アクリル酸エステル誘導体及びポリアクリル酸からなる分散剤とを水中に分散させてなることを特徴とする酸化セリウム研磨剤及びこれを用いた基板の研磨方法を提供することで、課題を解決した。
請求項(抜粋):
半導体素子製造プロセスに用いる研磨剤であって、酸化セリウム粒子と、アクリル酸エステル誘導体及びポリアクリル酸からなる分散剤とを水中に分散してなることを特徴とする酸化セリウム研磨剤。
IPC (4件):
H01L 21/304 622
, B24B 37/00
, C09K 3/14 550
, C09K 3/14
FI (4件):
H01L 21/304 622 D
, B24B 37/00 H
, C09K 3/14 550 D
, C09K 3/14 550 Z
Fターム (5件):
3C058CB01
, 3C058CB10
, 3C058DA02
, 3C058DA12
, 3C058DA17
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