特許
J-GLOBAL ID:200903011675775190
親水性高分子修飾カーボンナノチューブ膜
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (11件):
特許業務法人アルガ特許事務所
, 有賀 三幸
, 高野 登志雄
, 中嶋 俊夫
, 村田 正樹
, 山本 博人
, 的場 ひろみ
, 守屋 嘉高
, 大野 詩木
, 松田 政広
, 野中 信宏
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-317225
公開番号(公開出願番号):特開2008-127675
出願日: 2006年11月24日
公開日(公表日): 2008年06月05日
要約:
【課題】半導体材料として使用可能な膜厚を有するカーボンナノチューブ膜を形成する方法及び当該カーボンナノチューブ膜を提供する。【解決手段】カルボキシル基又はアミノ基含有ポリマーで表面修飾されたカーボンナノチューブの水分散液に電極を浸漬して電圧を印加することを特徴とする、カルボキシル基又はアミノ基含有ポリマーで表面修飾されたカーボンナノチューブ膜の製造法。【選択図】なし
請求項(抜粋):
カルボキシル基又はアミノ基含有ポリマーで表面修飾されたカーボンナノチューブの水分散液に電極を浸漬して電圧を印加することを特徴とする、カルボキシル基又はアミノ基含有ポリマーで表面修飾されたカーボンナノチューブ膜の製造法。
IPC (3件):
C25D 13/02
, C01B 31/02
, B82B 3/00
FI (3件):
C25D13/02 Z
, C01B31/02 101F
, B82B3/00
Fターム (13件):
4G146AA11
, 4G146AA15
, 4G146AB06
, 4G146AB07
, 4G146AC03B
, 4G146AD22
, 4G146AD30
, 4G146BA04
, 4G146BC18
, 4G146CB22
, 4G146CB23
, 4G146CB35
, 4G146CB36
引用特許:
出願人引用 (1件)
-
ナノ構造材料のための堆積方法
公報種別:公表公報
出願番号:特願2003-573718
出願人:ザユニバーシティオブノースカロライナアットチャペルヒル, シンテック,インコーポレイテッド
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