特許
J-GLOBAL ID:200903011675775190

親水性高分子修飾カーボンナノチューブ膜

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (11件): 特許業務法人アルガ特許事務所 ,  有賀 三幸 ,  高野 登志雄 ,  中嶋 俊夫 ,  村田 正樹 ,  山本 博人 ,  的場 ひろみ ,  守屋 嘉高 ,  大野 詩木 ,  松田 政広 ,  野中 信宏
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-317225
公開番号(公開出願番号):特開2008-127675
出願日: 2006年11月24日
公開日(公表日): 2008年06月05日
要約:
【課題】半導体材料として使用可能な膜厚を有するカーボンナノチューブ膜を形成する方法及び当該カーボンナノチューブ膜を提供する。【解決手段】カルボキシル基又はアミノ基含有ポリマーで表面修飾されたカーボンナノチューブの水分散液に電極を浸漬して電圧を印加することを特徴とする、カルボキシル基又はアミノ基含有ポリマーで表面修飾されたカーボンナノチューブ膜の製造法。【選択図】なし
請求項(抜粋):
カルボキシル基又はアミノ基含有ポリマーで表面修飾されたカーボンナノチューブの水分散液に電極を浸漬して電圧を印加することを特徴とする、カルボキシル基又はアミノ基含有ポリマーで表面修飾されたカーボンナノチューブ膜の製造法。
IPC (3件):
C25D 13/02 ,  C01B 31/02 ,  B82B 3/00
FI (3件):
C25D13/02 Z ,  C01B31/02 101F ,  B82B3/00
Fターム (13件):
4G146AA11 ,  4G146AA15 ,  4G146AB06 ,  4G146AB07 ,  4G146AC03B ,  4G146AD22 ,  4G146AD30 ,  4G146BA04 ,  4G146BC18 ,  4G146CB22 ,  4G146CB23 ,  4G146CB35 ,  4G146CB36
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • ナノ構造材料のための堆積方法
    公報種別:公表公報   出願番号:特願2003-573718   出願人:ザユニバーシティオブノースカロライナアットチャペルヒル, シンテック,インコーポレイテッド

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