特許
J-GLOBAL ID：200903011678751747
金属絶縁体相転移スイッチングトランジスタ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
谷 義一
, 阿部 和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-536447
公開番号（公開出願番号）：特表2007-515055
出願日： 2004年04月01日
公開日（公表日）： 2007年06月07日
要約：
金属絶縁体相転移高速スイッチングトランジスタ及びその製造方法を提供する。金属絶縁体相転移高速スイッチングトランジスタは、シリコン基板上のゲート電極(バックゲート構造)と、電場の変化により絶縁体相から金属相に又はその逆に変化するVO2の金属絶縁体相転移チャネル層とを備える。この製造方法により、高い電流利得特性を有し、熱的に安定した金属絶縁体相転移スイッチングトランジスタを作製することができる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板と、
前記基板上のゲートと、
前記ゲート電極および前記シリコン基板上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、電場の変化によって絶縁体相から金属相に又は逆に変化する金属絶縁体相転移チャンネル層と、
前記金属絶縁体相転移チャンネル層の両端とそれぞれ接したソースおよびドレインと
を備えることを特徴とする金属絶縁体相転移スイッチングトランジスタ。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L29/78 622
, H01L29/78 618B
5F110AA30
, 5F110BB13
, 5F110CC03
, 5F110DD05
, 5F110EE05
, 5F110FF02
, 5F110GG01
, 5F110GG25
, 5F110GG29
, 5F110HK02
, 5F110HK04
, 5F110HK21
, 5F110HK32
, 5F110QQ14
