特許

J-GLOBAL ID：200903011682309765

半導体装置及びその製造方法

発明者： 木崎 幸男 ,  森 三樹 ,  戎谷 隆 ,  斉藤 雅之 ,  村上 泰淳
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-144901
公開番号（公開出願番号）：特開平8-340000
出願日： 1995年06月12日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：

【要約】【目的】 配線層と半導体素子のバンプとの間が固相拡散により合金を形成して接続されている半導体装置のリペア性を向上し、信頼性の高い接続を得る。【構成】 配線層と接続手段との間に低融点接合金属を含むリペア機能層を設けて、低温で仮接合を行なった後、熱圧接により本接合を行なうか、あるいは配線層として、接続手段と固相拡散して合金を形成し得る第1の金属と、固相拡散による合金を形成しない第2の金属との金属合金を用いる。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板に形成されたアルミニウムを含有する配線層、またはフリップチップ方式の半導体素子上に設けられた金を含有するバンプ状の接続手段のうち少なくとも一方に、低融点接合金属を含むリペア機能層を形成する工程、前記配線層と前記接続手段とを前記リペア機能層を介して位置合わせする工程、その後前記配線層と前記接続手段とを低融点接合金属の融点以下の温度で加熱し、仮接合を行なう工程、及びその後前記配線層と前記接続手段とを固相拡散させ、反応層を形成せしめ、これにより本接合を行なう工程を含む半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  H01L 21/603

FI (5件)：

H01L 21/92 602 R ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/603 B ,  H01L 21/603 C