特許
J-GLOBAL ID：200903011684678164
半導体レーザ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩谷 龍
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-247187
公開番号（公開出願番号）：特開2003-060288
出願日： 2001年08月16日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：
【要約】【課 題】 本発明は、注入キャリア密度に基づく屈折率分布を均一にすることにより、FFP形状を単峰化し安定させた半導体レーザを提供することを目的とする。【解決手段】 基板上に少なくとも第1導電型の第1クラッド層、活性層、第2導電型の第2クラッド層がこの順に積層されている積層構造を有し、第2クラッド層の上部にストライプ状の電流注入領域を有する半導体レーザであって、前記電流注入領域内に、電流注入領域の共振器長方向と平行な中央線を対称軸として線対称に一本のストライプ状電流非注入領域が設けられていることを特徴とする半導体レーザ。
請求項（抜粋）：
基板上に少なくとも第1導電型の第1クラッド層、活性層、第2導電型の第2クラッド層がこの順に積層されている積層構造を有し、第2クラッド層の上部にストライプ状の電流注入領域を有する半導体レーザであって、前記電流注入領域内に、電流注入領域の共振器長方向と平行な中央線を対称軸として線対称に一本のストライプ状電流非注入領域が設けられていることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (3件)：
H01S 5/042 610
, H01S 5/042 612
, H01S 5/042 614
H01S 5/042 610
, H01S 5/042 612
, H01S 5/042 614
5F073AA05
, 5F073AA07
, 5F073AA61
, 5F073DA14
, 5F073EA18
, 5F073EA24
