特許
J-GLOBAL ID：200903011690726413
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-263984
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102374
出願日： 1991年10月11日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】 実装時の熱衝撃に対して、封止樹脂の剥離或いはクラック等が発生しないようにする。【構成】 樹脂封止型半導体装置Aにおいて、リードフレームBのインナーリード部5aの下部表面及びダイパッド部4の下部表面にトリアジンチオール化合物よりなる薄膜層7が形成されている。【効果】 トリアジンチオール化合物のチオール基がリードフレームの42アロイや銅などの金属表面と強固に吸着反応すると共に、置換基が封止樹脂の樹脂成分に対して化学結合するか又は強い親和力を有しているため、リードフレームのインナーリード部及びダイパッド部と封止樹脂との結合力が強められる。
請求項（抜粋）：
半導体素子を載置せしめたリードフレームのインナーリード部及びダイパッド部が樹脂封止されてなる半導体装置であって、前記インナーリード部及びダイパッド部の表面のうちの少なくとも一部にトリアジンチオール化合物からなる薄膜層が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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