特許

J-GLOBAL ID：200903011690970411

不揮発メモリ

発明者： 三原 孝士 ,  パズ デ アロウジョ,カルロス エー. ,  マクミラン,ラリー ディー.
出願人/特許権者： シメトリックス・コーポレーション ,  オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 石田 敬 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-504587
公開番号（公開出願番号）：特表平9-500475
出願日： 1994年06月30日
公開日（公表日）： 1997年01月14日
要約：

【要約】強誘電性不揮発メモリ(336)は、定電圧源(85)と、ビット線(79)と、ビット線(79)と定電圧源(75)の間に接続された第1の強誘電性コンデンサ(76)と、基準電圧源(105)とビット線(79)と基準電圧源(105)の間に接続されたラッチ(74)とを含む。ラッチ(74)はビット線(79)を強誘電性コンデンサ(76)と同じ論理状態にドライブして単一の動作で読み出しと復帰を行う。Q1を前記第1の強誘電性コンデンサ(76)のリニア容量とし、CDを前記ビット線(79)の容量とし、QSWを前記第1の強誘電性欄(76)のスイッチング電荷とすると、基準電圧は、Q1/CDとQSW/CD+Q1/CDの間にある。一実施例において、基準電圧は第1のコンデンサ(128)の面積より小さく第1のコンデンサ(128)の面積の1/2より大きい面積の強誘電性ダミーコンデンサ(141)により与えられる。

請求項（抜粋）：

定電圧源(85)と、ビット線(79)と、論理“1”状態に対応する第1の分極状態と論理“0”に対応する第2の分極状態をとることができる第1の強誘電性コンデンサ(76)を備えるメモリセル(70)と、前記第1の強誘電性コンデンサ(76)の状態が読み出されるとき前記強誘電性コンデンサ(76)から前記ビット線(79)に電荷を転送させることができるスイッチ手段(78)と、前記第1の強誘電性コンデンサ(76)の状態が読み出されるとき前記ビット線(79)上の信号を検出し増幅するセンスアンプ(72)とを有し、前記第1の強誘電性コンデンサ(76)は前記ビット線(76)と前記定電圧源(85)との間に接続されているタイプの強誘電性不揮発メモリ(336)において、前記メモリはさらに基準電圧源(105)を備え、前記センスアンプは前記基準電圧源(105)と前記ビット線(79)の間に接続されたラッチを備えていることを特徴とする、強誘電性不揮発メモリ。

IPC (4件)：

G11C 11/41 ,  G11C 11/22 ,  G11C 17/04 ,  H01L 27/10 481

FI (4件)：

G11C 11/40 ,  G11C 11/22 ,  G11C 17/04 Z ,  H01L 27/10 481

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平2-110895