特許

J-GLOBAL ID：200903011695502181

半導体スイッチ破損検出装置

発明者： 渋谷 忠士
出願人/特許権者： 株式会社明電舎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-051090
公開番号（公開出願番号）：特開平5-260644
出願日： 1992年03月10日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【目的】 低耐圧の簡単な検出装置をもって、サイリスタ,GTO等の半導体スイッチ素子を用いた半導体スイッチにおける前記半導体スイッチ素子の導通方向の破損を高精度で検出することができる半導体スイッチ破損検出装置を得るためのものである。【構成】半導体スイッチ素子に流れる電流と実温度とを検出し、該電流検出量から半導体スイッチ素子の損失分を計算して該半導体スイッチ素子の推定される温度上昇値を求めるとともに、検出した実温度から該半導体スイッチ素子の実際の温度上昇値を得て、前記推定温度上昇値と前記実温度上昇値とから該半導体スイッチ素子の正常、異常(破損)の判断を行なう。

請求項（抜粋）：

冷却フインに取り付けられた半導体スイッチ素子の温度及び半導体スイッチ素子設置周囲温度を検出して、該半導体スイッチ素子の温度上昇値を検出する温度上昇値検出回路と、半導体スイッチ素子に流れる電流を検出し、該検出電流に基づく半導体スイッチ素子の電流-電圧特性から推定した半導体スイッチ素子の電圧降下と前記検出電流及び前期冷却フインの熱抵抗とにより熱損失を算出して該半導体スイッチ素子の推定温度上昇値を演算する温度上昇値演算回路と、前記温度上昇値検出回路からの半導体スイッチ素子の温度上昇値と前記温度上昇値演算回路からの半導体スイッチ素子の推定温度上昇値とを比較して、その比較結果により半導体スイッチ素子の正常、異常を判断する比較回路と、を備えたことを特徴とする半導体スイッチ破損検出装置。