特許

J-GLOBAL ID：200903011702539959

磁気記録再生装置

発明者： 中谷 亮一 ,  北田 正弘 ,  小山 直樹 ,  由比藤 勇 ,  高野 公史 ,  森脇 英稔 ,  鈴木 幹夫 ,  二本 正昭 ,  釘屋 文雄 ,  松田 好文 ,  椎木 一夫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 和泉 良彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-022796
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200408
出願日： 1990年06月08日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：

【要約】【課題】狭トラック化された高密度磁気記録媒体からの微小な漏洩磁束の変化を高感度に、かつ高分解能に検出することができる磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ヘッドならびに記録再生装置を提供する。【解決手段】磁気抵抗効果膜に流れるすべての電流が上記中間層を必ず通過する形状の素子構造にして、電極として非磁性金属(導体)を磁気抵抗効果膜の少なくとも一部に接続した素子構造として、狭い領域の磁界を高感度に検出できる磁気抵抗効果素子を構成する。例えば、多層構造の磁気抵抗効果膜の少なくとも一部を非磁性金属からなる導体上に形成し、磁気抵抗効果膜のすべての磁性層の膜面方向を、磁気記録媒体面に対してほぼ直角に配置できる素子構造とする。すなわち、多層構造の磁気抵抗効果膜の端面部の磁性層の面積を極めて小さくした素子構造とする。

請求項（抜粋）：

磁性層に、絶縁体または半導体もしくは反強磁性体よりなる中間層を挿入して形成した多層構造の磁気抵抗効果膜を用いた磁気抵抗効果素子において、上記磁気抵抗効果膜に流れるすべての電流が上記中間層を通過する構造としたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (4件)：

G11B 5/39 ,  G01R 33/09 ,  H01F 10/08 ,  H01F 10/30

FI (4件)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/08 ,  H01F 10/30 ,  G01R 33/06 R