特許
J-GLOBAL ID：200903011702910207
半導体素子の実装封止構造
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-142885
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335447
出願日： 1992年06月03日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：
【要約】【目的】 ボンディングワイヤの頂部の封止剤が極端に肉薄になったり、ボンデイングワイヤが露出したりするのを防ぐ。【構成】 封止構造を少なくとも二体構成とし、半導体素子3の上面でボンディングワイヤ4と隣接する部分に、前記半導体素子面からの封止の第一の構成体(以後封止芯と呼ぶ)の形成上がりの高さがボンディングワイヤの屈曲の頂部よりも高く形成した封止芯と、封止の第一の構成体である前記封止芯をも包含した上で、前記半導体素子及び前記ボンディングワイヤの全体を包含するように封止の第二の構成体を配することにより、前記半導体素子及びボンディングワイヤの全体を封止する。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された配線パターンと、該配線パターンにボンディングワイヤにて電気的に接合され、前記基板上に配置された半導体素子と、上記半導体素子の表面でボンディングワイヤに近接した部分に形成された封止芯とを有し、上記ボンディングワイヤ、封止芯を含めて半導体素子が封止剤で覆われていることを特徴とする半導体素子の実装封止構造。
IPC (4件)：
H01L 23/29
, H01L 23/31
, H01L 21/56
, H01L 23/28
