特許

J-GLOBAL ID：200903011703854424

プラズマ処理方法

発明者： 友安 昌幸 ,  輿石 公
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-140099
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335308
出願日： 1997年05月29日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】半導体ウエハに対する反応生成物のデポジションをより確実に制御することが可能なプラズマエッチング方法を提供する。【解決手段】プラズマエッチング装置2は、シャワーヘッド30のガス噴出面34より処理ガスC4 F8 /Ar/O2 を供給すると共に、処理ガスを高周波放電を介してプラズマ化し、このプラズマを用いてサセプタ8上の半導体ウエハWに対してエッチングを行う。エッチング処理中、プラズマからの発光が分光器74で分光され、CPU76においてスペクトルの発光強度比C2 /CF2 の検出値が算出される。CPU76は、エッチングの微細加工性に基づいて設定された基準値に検出値が近づくように、エッチング処理のプロセス条件を制御する。

請求項（抜粋）：

処理容器内に配設された載置台上に被処理体を載置する工程と、前記処理容器内を排気しながら処理ガスを前記処理容器内に供給する工程と、前記処理ガスは炭素及びフッ素を含有すると共に、解離によりCF2 及びC2 を提供することと、前記処理容器内で前記処理ガスを放電を介してプラズマにする工程と、前記プラズマを用いて前記被処理体にプラズマ処理を施す工程と、前記プラズマ処理中、前記プラズマからの発光を分光してCF2 及びC2 のスペクトルの発光強度の比の検出値を得る工程と、前記検出値と、前記プラズマ処理の任意の特性に基づいて設定した基準値とを比較し、前記プラズマ処理を中止するか否かを決定する工程と、を具備することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/302 E ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205