特許

J-GLOBAL ID：200903011711048429

異方性エッチング方法

発明者： 柳田 敏治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-290997
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142448
出願日： 1993年11月19日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 3層レジストプロセスにおいて、下層レジスト層エッチング時のパターン形状、対下地材料層選択比および対中間層選択比を改良する。【構成】 Cuを含有する下地材料層2上の下層レジスト層3を、アルコール、エーテルおよびケトンのいずれか一種を含む混合ガスを用いて異方性エッチングする。このとき形成される側壁保護膜6は、C-O結合がその構造中に取り込まれた炭素系プラズマポリマであり、強固な化学結合により高いドライエッチング耐性を有する。【効果】 異方性加工に必要なイオンエネルギを低減でき、対下地選択比が向上し、また下地材料層のスパッタ再付着物が生じない。混合ガス中にS2 Cl2 を添加してSの堆積を併用し、一層の低ダメージ化、低汚染化を達成する。さらに、NH3 ガス系に切り替えてオーバーエッチングを行うことにより、下地材料層の酸化を防止し、低抵抗配線形成を実現する。

請求項（抜粋）：

下地材料層上に形成された有機材料層を、アルコール、エーテルおよびケトンからなる群から選ばれる少なくとも1種類の化合物を含むエッチングガスを用いてエッチングすることを特徴とする異方性エッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

FI (2件)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/302 N

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平1-134929
  
• ドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-087141   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭61-232618
  
• 特開平1-134929
  
• 特開昭61-232618