特許
J-GLOBAL ID：200903011711767921
チップ型半導体素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-038123
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243585
出願日： 2002年02月15日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：
【要約】【課題】 Al-Si合金による熱緩衝板の接合を安定させ、外部電極とのはんだ接合の強度を確保する熱応力緩衝板とチップ型半導体素子およびその製造方法の提案。【解決手段】 WやMoのような熱応力緩衝板の片面には第1層にTi膜、第2層にNi膜からなる積層膜を、反対面には第1層にAl膜もしくはAl-Si合金膜、第2層にはAg膜からなる積層膜を電子線真空蒸着もしくはスパッタリングにより形成した構造であって、主電極にAl膜もしくはAl-Si合金膜の形成された半導体素子とこの前記熱応力緩衝板とをAl-Si合金板を介して接合する製造方法である。
請求項（抜粋）：
複数のN層とP層で構成され、その角部がパッシベーション膜で被覆されてなる半導体素子本体とWやMoからなる熱応力緩衝板がAl-Si合金膜を介して接合されたチップ型半導体素子において、前記熱応力緩衝板の前記Al-Si合金膜と接合する側の面に前記熱応力緩衝板から順にAl膜、Ag膜を積層して形成し、前記熱応力緩衝板のもう一方の面には前記熱応力緩衝板から順にTi膜、Ni膜を積層して形成し、反対面には第1層にAl膜、第2層にはAg膜の積層膜が形成されたことを特徴とするチップ型半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 23/36
, H01L 23/40
, H01L 23/48
H01L 23/40 F
, H01L 23/48 L
, H01L 23/36 Z
5F036AA01
, 5F036BB01
, 5F036BC06
