特許

J-GLOBAL ID：200903011712359738

光半導体発光装置

発明者： 山根 真 ,  高須 広海
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社 ,  鳥取三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-149271
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347583
出願日： 2002年05月23日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：

【要約】【課題】 低消費電力で高速・高効率・高解像度の発光出力可能な光半導体発光装置と、高速・高品質の露光印字を低消費電力で可能にするLEDプリンターヘッド用LEDモジュールを提供する。【解決手段】 裏面にn側電極(6)を持つ半導体単結晶から成るn-GaAs基板(1)、その上に成長層として形成されたn1-GaAsP層(21)を有する。n1-GaAsP層(21)にn型,p型ドーパントを添加することにより形成されたp1,n2,p2-GaAsP層(31,22,32)で複数のセグメントA1,A2,B1,...が構成されている。セグメントA2,B1やB2,C1は直列接続の接合構造を有し、セグメントA1,B1,C1には2層の発光層が直列接続の接合構造で構成されている。

請求項（抜粋）：

裏面に電極を持つ半導体単結晶基板とその上に形成された成長層とを有し、その成長層にn型,p型ドーパントを添加することにより形成された発光層で複数のセグメントが構成された光半導体発光装置であって、連続した複数のセグメントに直列接続の接合構造を有することを特徴とする光半導体発光装置。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  B41J 2/44 ,  B41J 2/45 ,  B41J 2/455

FI (2件)：

H01L 33/00 B ,  B41J 3/21 L

Fターム (22件)：

2C162AE28 ,  2C162AE47 ,  2C162AF01 ,  2C162FA04 ,  2C162FA17 ,  2C162FA23 ,  5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041AA14 ,  5F041AA24 ,  5F041AA40 ,  5F041CA02 ,  5F041CA10 ,  5F041CA12 ,  5F041CA35 ,  5F041CA38 ,  5F041CA72 ,  5F041CA93 ,  5F041CB15 ,  5F041CB36 ,  5F041DB07 ,  5F041FF13