特許
J-GLOBAL ID：200903011714275973
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-255972
公開番号（公開出願番号）：特開2000-082787
出願日： 1992年09月09日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
要約：
【要約】【目的】上下のPt電極の間にPZT薄膜が挟まれた構造を持つPZT薄膜の製造方法に於いて、アニール後のPb含有量をPZT薄膜の深さ方向にほぼ一様とし、良好な強誘電体特性を得る。【構成】アニール前、PZT前駆体薄膜は104から109の6層で形成されており、PZT前駆体薄膜のPb含有量が、下部電極103側のPZT前駆体薄膜104から表面側すなわち上部電極110側に行くにつれ増加している。アニール後のPb含有量の深さ方向分布はほぼ一様となる。【効果】不揮発性メモリや、光スイッチ、キャパシタ、赤外線センサ、超音波センサ、薄膜圧電振動子として利用できる
請求項（抜粋）：
下部電極と上部電極の間に鉛(Pb)を1成分として含む強誘電体薄膜が挟まれた構造を持つ強誘電体薄膜の製造方法に於いて、前記下部電極上に前記強誘電体薄膜または前記強誘電体の前駆体薄膜を前記下部電極側で鉛の濃度を低濃度に、前記上部電極側で鉛の濃度を高濃度に形成する工程と、前記強誘電体薄膜または前記強誘電体の前駆体薄膜をアニールする工程と、前記上部電極を形成する工程とからなることを特徴とする強誘電体薄膜の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/10 451
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 27/04 C
, H01L 27/10 451
, H01L 27/10 651
