特許

J-GLOBAL ID：200903011714523985

マトリックス型表示装置

発明者： 中川 直紀 ,  川元 暁 ,  中山 達也
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-172765
公開番号（公開出願番号）：特開平6-018921
出願日： 1992年06月30日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】 コスト上昇と歩留り低下を抑制し、表示特性の劣化を防止するマトリックス型表示装置を得る。【構成】 透明絶縁性基板1上に電荷保持容量下部電極2と同一層を用いて薄膜トランジスタのゲート電極線3の下部に遮光膜12を形成し、ゲート電極線3上にゲート絶縁膜5を介してノンドープアモルファスシリコン層6とリンドープアモルファスシリコン層7を形成し、ゲート絶縁膜3と接続するコンタクト部14をノンドープアモルファスシリコン層6とリンドープアモルファスシリコン層7の界面を透明絶縁性基板1からの光に対して遮光する。【効果】 製造工程を増加することなく、表示特性を向上できる。

請求項（抜粋）：

透明絶縁性基板上に並設された複数のゲート電極線と、このゲート電極線に交差する複数のソース電極線と、上記ゲート電極と上記ソース電極線の二つの電極線の交差部に設けられた薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタのドレイン電極に接続された透明導電膜からなる画素電極と、この画素電極の少なくとも一部が絶縁膜を介して重畳し、かつ次段または前段の上記ゲート電極に接続された電荷保持容量下部電極と、この電荷保持容量下部電極と同一層を用いて上記薄膜トランジスタのゲート電極の下部に形成された遮光膜とを備えたマトリックス型表示装置。

IPC (5件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1335 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 29/78 311 A ,  H01L 29/78 311 N