特許
J-GLOBAL ID：200903011727343820
磁電変換素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-094283
公開番号（公開出願番号）：特開平7-302939
出願日： 1994年05月06日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】磁性体基板上に半導体からなる磁電変換素子パタ-ンが形成された磁電変換素子において、ホ-ル移動度の大きい半導体薄膜を得るための製造方法を提供する。【構成】本発明にかかる磁電変換素子20の製造方法は、ショ-ト効果を得るための電極膜4aをあらかじめ形成した基板1に、磁気抵抗効果を持つInSb薄膜8を形成し、パタ-ン化することを特徴とする。上記のようにあらかじめ電極膜を形成した部分に形成されたInSb薄膜はホ-ル移動度が小さくなるので、大きなショ-ト効果が得られ、磁気抵抗効果が大きくなる。
請求項（抜粋）：
磁気抵抗素子膜と、この磁気抵抗素子膜に流れる電流方向と交差する方向に伸びて前記磁気抵抗素子膜とで層状部分を構成する電極膜とを基板に設けた磁電変換素子において、基板と磁気抵抗素子膜との間に電極膜を配置した部分を有しこの部分のホ-ル移動度を他の部分より小さくした事を特徴とする磁電変換素子。
IPC (3件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, H01L 43/12
