特許
J-GLOBAL ID：200903011727521248
薄膜トランジスタ及び液晶表示装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-075620
公開番号（公開出願番号）：特開平9-266315
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：
【要約】【課題】薄膜トランジスタを金属線上に形成し、薄膜トランジスタのプロセス温度に依存しない基板選択を可能にすることと、薄膜トランジスタを金属線上に複数個作成し、薄膜トランジスタのロールを作成することで冗長性、生産性を向上させる。【解決手段】金属線材料上に金属線を被覆するようにゲート絶縁膜、半導体層、ソース・ドレイン電極を形成する。
請求項（抜粋）：
線状の導電性材料からなるゲート電極と、このゲート電極表面に形成されたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に形成された半導体層と、この半導体層上に離間して形成されたソース・ドレイン電極とを具備することを特徴とする薄膜トランジスタ。
FI (3件)：
H01L 29/78 626 Z
, H01L 29/78 616 T
, H01L 29/78 617 K
