半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-012664
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209448
出願日： 1997年01月27日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】本発明は、大電流の高速スイッチングに用いられるIGBTにおいて、大電流を高速スイッチング制御する際にも安定に動作できるようにすることを最も主要な特徴とする。【解決手段】たとえば、P型ベース領域23のそれぞれに隣接する、N型ドリフト領域22の一主面上に、ゲート酸化膜25を介して、ポリシリコンからなるストライプ構造のゲート電極26を形成する。その際、チャンネル反転領域23aとして機能するP型ベース領域23と重ならないゲート電極26の一部に、その他の領域26aよりも低抵抗な領域26bを設ける。これにより、チャンネル反転領域23aのどの部分についても、ゲート電極パッドから見た、ゲート電極26の抵抗値のばらつきを極めて小さくできる構成となっている。

請求項（抜粋）：

第一導電型の第一の半導体領域と、この第一の半導体領域の一主面に選択的に形成された第二導電型の複数の第二の半導体領域と、この第二の半導体領域のそれぞれに隣接する、前記第一の半導体領域の一主面上に絶縁膜を介して設けられ、前記第二の半導体領域からそれぞれ離間した位置に抵抗値が部分的に低下された低抵抗領域を有してなるゲート電極とを具備したことを特徴とする半導体装置。

FI (2件)：

H01L 29/78 655 F , H01L 29/78 652 K

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平2-042764
特開昭64-081367
特開昭58-089864

審査官引用 (3件)

特開平2-042764
特開昭64-081367
特開昭58-089864

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