非晶質薄膜の結晶化方法及び装置、並びに薄膜トランジスタの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：杉村憲司 , 杉村興作 , 来間清志 , 藤谷史朗 , 澤田達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-041445
公開番号（公開出願番号）：特開2009-200314
出願日： 2008年02月22日
公開日（公表日）： 2009年09月03日
要約：

【課題】非晶質薄膜の表面の酸化を抑制しつつ、短時間で、結晶粒径の大きな多結晶薄膜を得ることができる非晶質薄膜の結晶化方法及びその装置、並びに薄膜トランジスタの製造方法を提供することにある。【解決手段】絶縁基板10の表面10a上に、所定膜厚の非晶質薄膜20を形成し、該非晶質薄膜20に熱源30からの熱照射31により、前記非晶質薄膜20を結晶化させて多結晶薄膜21とする方法において、前記熱源30からの熱照射31を、大気圧雰囲気で、基板の裏面10bから基板10内を熱透過させて行うことを特徴とする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

絶縁基板の表面上に、所定膜厚の非晶質薄膜を形成し、該非晶質薄膜に熱源からの熱を照射することにより、前記非晶質薄膜を結晶化させて多結晶薄膜とする方法において、前記基板が熱透過性材料からなり、前記熱源からの熱照射は、所定の雰囲気下で、前記基板の裏面から基板内を熱透過させることによって行うことを特徴とする非晶質薄膜の結晶化方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/324 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (4件)：

H01L21/20 , H01L21/324 J , H01L29/78 627G , H01L21/324 P

Fターム (32件)：

5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110DD01 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110FF02 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG04 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110PP01 , 5F110PP05 , 5F110PP13 , 5F110PP23 , 5F152AA02 , 5F152AA06 , 5F152BB02 , 5F152CC03 , 5F152CC06 , 5F152CC08 , 5F152CE05 , 5F152CE06 , 5F152CE24 , 5F152EE13 , 5F152FF20 , 5F152FF21 , 5F152FF28 , 5F152FG13 , 5F152FH02 , 5F152FH03 , 5F152FH15

引用特許：

出願人引用 (1件)

薄膜結晶化方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-242351 出願人：国立大学法人埼玉大学

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