特許

J-GLOBAL ID：200903011740483061

陰極スパッタリングのためのスパッタ用ターゲットおよび該スパッタ用ターゲットの製法

発明者： マルティン シュロット ,  マルティン クツナー ,  ウヴェ コニーツカ ,  ブルース ゲーマン ,  ショーン ヴァールストローム
出願人/特許権者： ライボルト マテリアルス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-050130
公開番号（公開出願番号）：特開平8-041634
出願日： 1995年03月09日
公開日（公表日）： 1996年02月13日
要約：

【要約】【目的】 機械的安定性を有する、陰極スパッタリングのためのスパッタ用ターゲットおよび該スパッタ用ターゲットの製法。【構成】 部分還元された酸化インジウム-酸化錫の粉末混合物もしくは共沈粉末から製造されたターゲットであり、この場合、ターゲットは、酸化物セラミックスマトリックスからなり、かつ、50μm未満の大きさのIn及び/又はSnからなる金属相粒子中に均質かつ微細に挿入されており、かつ完全酸化された酸化インジウム/酸化錫の理論密度の96%を超える密度を有している。

請求項（抜粋）：

部分還元された酸化インジウム-酸化錫粉末混合物又は部分還元された酸化インジウム-酸化錫共沈粉末から製造された、透明導電膜を製造するための陰極スパッタリングのためのスパッタ用ターゲットにおいて、ターゲットが酸化物セラミックスマトリックスからなり、かつ、50μmを下回る大きさのIn及び/又はSnからなる金属相粒子中に均質かつ微細に挿入されており、かつ完全酸化された酸化インジウム/酸化錫の理論密度の96%を超える密度を有していることを特徴とする、陰極スパッタリングのためのスパッタ用ターゲット。

IPC (4件)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/495 ,  C04B 35/457 ,  C23C 14/08

FI (2件)：

C04B 35/00 J ,  C04B 35/00 R