特許

J-GLOBAL ID：200903011745568316

シリコンウエーハのエッチング方法

発明者： 中野 正己 ,  高松 広行
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 舘野 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-202583
公開番号（公開出願番号）：特開平7-037871
出願日： 1993年07月24日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】【目的】 苛性ソーダ水溶液によるシリコンウエーハのエッチングについて、エッチング速度及びエッチピットの大きさを制御する方法を提供する。【構成】 ラッピング後のシリコンウエーハを薬液によりエッチングするに際し薬液として、NaOH濃度5〜10重量%のNaOH水溶液100重量部に対しH2 O2 を0.01〜0.2重量部の割合で添加したものを用いる。【効果】 H2 O2 添加量の増大と共にエッチング速度がほぼ直線的に低下し、かつ、NaOH水溶液による場合に比べてシリコンウエーハ裏面のエッチピットの大きさが微細化し、白い汚れの発生が抑制される。また、NaOH濃度0.1〜3重量%のNaOH水溶液100重量部に対しH2 O2 を0.05〜0.10重量部の割合で添加したものを用いた場合には、上記効果に加えて、エッチング速度が向上する効果も得られる。

請求項（抜粋）：

ラッピング後のシリコンウエーハを薬液によりエッチングする方法において、薬液として、苛性ソーダ濃度0.1〜25重量%の苛性ソーダ水溶液100重量部に対し、過酸化水素を0.01〜0.2重量部の割合で添加したものを用いることを特徴とするシリコンウエーハのエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/308 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/3063