特許

J-GLOBAL ID：200903011752575727

発光ダイオード及びその製造方法

発明者： フランク・エム・ステランカ
出願人/特許権者： ヒューレット・パッカード・カンパニー
代理人 (1件)： 上野 英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-266233
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306957
出願日： 1995年09月20日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】【課題】より短い波長の好ましい光出力を有する発光ダイオードを提供する。【解決手段】本発明の一実施例によれば、In〜0.08Ga〜0.92As基板に格子整合して成長した4元素AlInGaPの発光ダイオードが提供される。このダイオードは、周知の技術に対し、可視スペクトルの黄から緑部分の発光効率の実質的な改善をもたらす。

請求項（抜粋）：

発光ダイオードを作成する方法であって、InGaAs基板を成長させる段階と、InGaAs基板上に、AlInGaPにより少なくとも1つの第1のP-N接合を含む活性領域を成長させる段階と、基板上とAlInGaP領域上にそれぞれ陰極接点と陽極接点を形成する段階と、を含む方法。