特許
J-GLOBAL ID：200903011753598461
光半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 恒久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-182475
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029664
出願日： 1991年07月23日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 光半導体装置の封止樹脂の洩れを防ぐ。【構成】 ケース11の凹部13に光半導体素子を載せ、これを封止樹脂体19で封止する場合、ケース11の上面に予め洩れ防止膜20を形成し、滴下する封止樹脂が広がるのを防ぐ。ケース11上面の洩れ防止膜20の一部に極性判別用の切欠29を形成し、極性判別を容易にする。
請求項（抜粋）：
光半導体装置本体の上面中央部に光半導体素子を搭載する凹部が形成され、該凹部から光半導体装置本体の底面にかけて光半導体素子と接続する導電部が形成され、該導電部は、凹部の底面に形成された電極膜と、光半導体装置本体の上面に形成された上面膜と、光半導体装置本体の側面に形成された側面膜と、光半導体装置本体の底面に形成された外部接続電極とからなり、前記凹部に封止樹脂体が充填封止されてなる光半導体装置において、前記光半導体装置本体および上面膜の上面に、封止樹脂体の上面への洩れを防止するよう封止樹脂体との間で接触角が大とされた洩れ防止膜が形成されたことを特徴とする光半導体装置。
IPC (2件)：
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