特許

J-GLOBAL ID：200903011754104861

不揮発性半導体メモリおよびそれを内蔵した半導体集積回路

発明者： 吉野 英昭
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
代理人 (1件)： 大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-296600
公開番号（公開出願番号）：特開2000-123584
出願日： 1998年10月19日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：

【要約】【課題】 フラッシュメモリにおいては、所定のパルス幅を有する書込みパルスや消去パルスを選択された憶素子に印加してしきい値をシフトさせデータの記憶を行なうようにしているが、実際の製品では同一のパルス幅を有する書込みパルスや消去パルスを印加した場合でも書込み不良(書込み不足および過剰書込みを含む)や消去不良が発生するという課題があった。【解決手段】 記憶素子に対する書込み、消去電圧を、対象となる記憶素子の特性(イニシャルしきい値)に応じて補正するようにした。

請求項（抜粋）：

印加する電圧を制御して記憶素子のしきい値を変化させデータを記憶させるように構成された不揮発性半導体メモリにおいて、記憶素子に対する書込み電圧もしくは消去電圧を、記憶素子の特性に応じて補正するように構成されていることを特徴とする不揮発性半導体メモリ。

FI (2件)：

G11C 17/00 611 E ,  G11C 17/00 612 E

Fターム (7件)：

5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD08 ,  5B025AD10 ,  5B025AE08