特許

J-GLOBAL ID：200903011754644661

重ね合わせ誤差測定装置

発明者： 鈴木 高彦 ,  中田 匡彦
出願人/特許権者： 日立電子エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 飯塚 義仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-242679
公開番号（公開出願番号）：特開平10-070163
出願日： 1996年08月26日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】【課題】 2つの薄膜パターンの重ね合わせ誤差を測定する場合に、少なくとも一方の薄膜パターンの膜厚が0.1μm以下であっても高精度にその重ね合わせ誤差を測定できるようにする。【解決手段】 この発明に係る重ね合わせ誤差測定装置は、2つの薄膜パターンの少なくとも一方の膜厚が0.1μm以下のエッチングパターンの場合には、位相差用光学系手段を用いてその中心位置を測定し、薄膜パターンの膜厚がこれよりも厚い膜厚のレジストパターンやエッチングパターンの場合には、明視野用光学系手段を用いてその中心位置を測定する。そして、それぞれ求められた2つの薄膜パターンの中心位置に基づいて両パターンの重ね合わせ誤差を演算にて求める。

請求項（抜粋）：

半導体製造工程において形成される第1の薄膜パターンとこれよりも薄い第2の薄膜パターンとの間の重ね合わせ誤差を測定する重ね合わせ誤差測定装置において、光線を出力する光源手段と、前記光源から出力された前記光線を明視野用光量絞りを介して、前記基体表面から所定距離だけ離れた位置に設けられた明視野用対物レンズを通して前記薄膜の表面及び前記基体表面に照射し、その反射光線を受光し、それを所定箇所に導く明視野用光学系手段と、前記光源から出力された前記光線を位相差用リングスリットを介して、前記基体表面から所定距離だけ離れた位置に設けられた位相差用対物レンズを通して前記薄膜の表面及び前記基体表面に照射し、その反射光線を受光し、それを所定箇所に導く位相差用光学系手段と、前記明視野用光学系手段又は前記位相差用光学系手段のいずれか一方によって導かれた前記反射光線を受光し、電気信号に変換する光電変換手段、前記明視野用対物レンズ又は前記位相差用対物レンズと前記基体上の前記第2の薄膜パターンとの間の相対的な位置関係が所定の位置関係となるように位置決めする位置決め手段とを具えたことを特徴とする重ね合わせ誤差測定装置。

IPC (5件)：

H01L 21/66 ,  G01B 11/00 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 9/00 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

H01L 21/66 J ,  G01B 11/00 C ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 9/00 H ,  H01L 21/30 502 V