特許
J-GLOBAL ID：200903011757515188
薄膜トランジスタパネル
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-347287
公開番号（公開出願番号）：特開平7-191349
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：
【要約】【目的】 薄膜トランジスタのドレイン電極とゲート電極との間や、ゲートラインとデータラインとの間での静電気破壊を防止する。【構成】 絶縁性基板1の上にゲートラインGLとデータラインDLとを互いに絶縁して配線するとともに、最終列目のゲートラインGLを除く他のゲートラインGLと最終列目のデータラインDLを除く他のデータラインDLとの交差部にそれぞれ薄膜トランジスタ2を設け、第1列目および最終列目のゲートラインGLに、これらゲートラインGLと各データラインDLとの交差部の近傍においてそれぞれ突出電極11を形成し、第1列目および最終列目のデータラインDLに、これらデータラインDLと各ゲートラインGLとの交差部の近傍においてそれぞれ突出電極12を形成し、前記ゲートラインGLの突出電極11とデータラインDLの突出電極12とを互いに対向させ、かつその対向間に少なくとも絶縁膜13と半導体膜14,15とが堆積するダミー素子13を設ける。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板の上に複数列に配列するゲートラインとこのゲートラインと直交して複数列に配列するデータラインとを互いに絶縁して配線するとともに、最終列目のゲートラインを除く他のゲートラインと最終列目のデータラインを除く他のデータラインとの交差部に、ゲート電極がゲートラインにつながりドレイン電極がデータラインにつながる薄膜トランジスタを設け、第1列目および最終列目のゲートラインに、これらゲートラインと各データラインとの交差部の近傍においてそれぞれ突出電極を形成し、第1列目および最終列目のデータラインに、これらデータラインと各ゲートラインとの交差部の近傍においてそれぞれ突出電極を形成し、前記ゲートラインの突出電極とデータラインの突出電極とを互いに対向させ、かつその対向間に少なくとも絶縁膜と半導体膜とが堆積するダミー素子を設け、このダミー素子に前記両突出電極を接触させてあることを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
, H01L 29/786
