特許

J-GLOBAL ID：200903011762015002

半導体装置の製造方法

発明者： 清水 浩三 ,  作山 誠樹
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (4件)： 石田 敬 ,  鶴田 準一 ,  西山 雅也 ,  樋口 外治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-068516
公開番号（公開出願番号）：特開2004-281556
出願日： 2003年03月13日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：

【課題】半導体装置の製造方法に関し、狭いピッチで良好なはんだバンプを形成することができるようにすることを目的とする。【解決手段】絶縁膜16を電極12を有する基板10の表面に設け、該絶縁膜の該基板の電極の位置に開口部14を設け、該開口部内に第1の金属18を供給し、該第1の金属を加熱して溶融させ、そして凝固させ、該開口部内に第1の金属に重ねて第2の金属22を供給し、該第1及び第2の金属を加熱して溶融させ、そして凝固させ、該絶縁膜を除去する構成とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

表面に電極を有する半導体素子或いは回路配線基板の表面に絶縁膜を形成する工程と、 該電極上の該絶縁膜をパターニング後除去し開口部を形成する工程と、 該開口部に第1の金属を供給する工程と 該第1の金属を加熱して溶融させ、凝固させる工程と、 該開口部に第1の金属に重ねて第2の金属を供給する工程と 該第1の金属と第2の金属とを加熱して溶融させ、凝固させる工程と、 該絶縁膜を除去する工程と を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L21/60

FI (6件)：

H01L21/92 602C ,  H01L21/60 311Q ,  H01L21/92 603E ,  H01L21/92 604B ,  H01L21/92 604C ,  H01L21/92 603G

Fターム (5件)：

5F044KK18 ,  5F044KK19 ,  5F044LL01 ,  5F044QQ03 ,  5F044QQ04