特許

J-GLOBAL ID：200903011763946999

プラズマ処理装置

発明者： 土井 浩志 ,  塚田 勉 ,  柏田 邦夫 ,  児玉 孝徳 ,  田口 裕康
出願人/特許権者： アネルバ株式会社 ,  昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-163881
公開番号（公開出願番号）：特開平9-326384
出願日： 1996年06月04日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：

【要約】【課題】 プラズマ処理装置で、ドライクリーニング等の面倒な定期的洗浄を不要とし、装置稼働率を低下させることなく、メンテナンスの労力および費用を低減し、安全性も高く、簡潔で安価にパーティクル発生を抑制する。【解決手段】 真空容器11内に反応性ガスを導入し、反応性ガスにエネルギを与えてプラズマを生成し、このプラズマの中に含まれるイオンやラジカル等の活性種で、真空容器内の基板ホルダ22上に配置されたシリコン基板25等を処理する装置で、真空容器で、その内部構造を形成する部材における上記プラズマに晒される表面の少なくとも一部が、アルミニウムを主成分とする弗化物の層で覆われるように構成される。

請求項（抜粋）：

真空容器内に反応性ガスを導入し、前記反応性ガスにエネルギを与えてプラズマを生成し、このプラズマで前記真空容器内に配置された基板を処理するプラズマ処理装置において、前記真空容器で、その内部構造を形成する部材における前記プラズマに晒される表面の少なくとも一部が、アルミニウムを主成分とする弗化物の層で覆われることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

H01L 21/302 B ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 A