特許

J-GLOBAL ID：200903011764172180

多層配線形成法

発明者： 井上 雄史 ,  山葉 隆久
出願人/特許権者： ヤマハ株式会社
代理人 (1件)： 伊沢 敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-201590
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036116
出願日： 1995年07月14日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【課題】 多層配線形成法において、層間絶縁膜の平坦化を可能とし、配線形成歩留りを向上させる。【解決手段】 基板30の表面を覆う絶縁膜34の上に配線層36A,36Bを形成した後、膜34と層36A,36Bを覆ってプラズマCVD-SiO2 等の絶縁膜38を形成する。回転塗布法等により膜38上に水素シルセスキオキサン樹脂膜を平坦状に形成した後、該樹脂膜に不活性ガス雰囲気中で熱処理を施してプレセラミック状の酸化シリコン膜40を形成する。膜40の上にプラズマCVD-SiO2 等の絶縁膜42を形成した後、膜40の表面に微小突起が発生するのを膜42で防止しつつ熱処理を行なうことにより膜40をセラミック状の酸化シリコン膜にする。この後、膜42の上に配線層を形成する。

請求項（抜粋）：

基板の表面を覆う第1の絶縁膜の上に第1の配線層を形成する工程と、前記第1の絶縁膜及び前記第1の配線層を覆って水素シルセスキオキサン樹脂膜を平坦状に形成する工程と、前記水素シルセスキオキサン樹脂膜に不活性ガス雰囲気中で熱処理を施すことにより該樹脂膜をプレセラミック状の酸化シリコン膜にする工程と、前記酸化シリコン膜を覆って第2の絶縁膜を形成する工程であって、該第2の絶縁膜は、前記酸化シリコン膜を覆った状態では前記酸化シリコン膜をセラミック状にする際に微小突起の発生を防止できるものと、前記酸化シリコン膜を前記第2の絶縁膜で覆った状態で前記酸化シリコン膜に酸化性雰囲気中で熱処理を施すことにより前記酸化シリコン膜をセラミック状の酸化シリコン膜にする工程と、前記セラミック状の酸化シリコン膜を形成した後、前記第2の絶縁膜の上に第3の絶縁膜を介し又は介さずに第2の配線層を形成する工程とを含む多層配線形成法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/88 K ,  H01L 21/90 R ,  H01L 21/90 M