特許
J-GLOBAL ID:200903011764605800

キャビティダウン型BGAパッケージ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 加古 宗男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-256954
公開番号(公開出願番号):特開平11-097568
出願日: 1997年09月22日
公開日(公表日): 1999年04月09日
要約:
【要約】【課題】 キャビティダウン型BGAパッケージの放熱スラグのキャビティ底面と半導体チップとの接着強度を高める。【解決手段】 放熱スラグ21を、平板の金属板22と、中央部にキャビティ24の開口が打ち抜き形成された金属板23とから構成し、これら2枚の金属板22,23をAgCuろう等のろう材又は接着樹脂(プリプレグ)で接合する。予め、上側の金属板22の下面に、次亜リン酸塩を還元剤とする無電解銅めっきにより針状銅めっき被膜25を形成し、この針状銅めっき被膜25をキャビティ24の底面に露出させ、このキャビティ24の底面に半導体チップ28をダイボンディングする。この際、針状銅めっき被膜25の表面に無数に形成された針状突起に半導体チップ28の接着剤(エポキシ銀ペースト等)が食い込むことで生じるアンカー効果によってキャビティ24底面と半導体チップ28との接着強度が高められる。
請求項(抜粋):
金属製の放熱スラグの下面にプラスチック回路基板を接着すると共に、前記放熱スラグの下面側に形成されたキャビティに半導体チップをダイボンディングして封止樹脂で封止し、前記プラスチック回路基板の下面に多数の半田ボールを配列して成るキャビティダウン型BGAパッケージにおいて、前記放熱スラグのうちの少なくとも前記半導体チップをダイボンディングする部分に針状銅めっき被膜が形成されていることを特徴とするキャビティダウン型BGAパッケージ。

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