特許

J-GLOBAL ID：200903011768356944

溶解阻止ホトレジスト

発明者： 岩崎 治夫
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-304301
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259151
出願日： 1991年11月20日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【目的】ノボラック樹脂の現像液への溶解をおさえることができ、矩形パターン形成を可能にし、微細なレジストパターンを形成が可能な溶解阻止レジストを提供することにある。【構成】本発明のノボラック樹脂は、その溶解を阻止する基としてクラウンエーテル(b)を用いることにより、より大きな溶解阻止効果が得られる。【効果】ノボラック樹脂の現像液への溶解をおさえることができるので、矩形パターン形成を可能にし、微細なレジストパターンの形成を可能にする。

請求項（抜粋）：

半導体デバイスの製造プロセス中の光リソグラフィー工程に用いられるホトレジストにおいて、感光物質の中にクラウンエーテルなる相間移動能力を有する材料を含むことを特徴とする溶解阻止ホトレジスト。

IPC (4件)：

H01L 21/312 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/039 501