特許

J-GLOBAL ID：200903011771868492

半導体装置の製造方法

発明者： 矢野 博之 ,  重田 厚 ,  小寺 雅子 ,  青木 利一郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-132978
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326469
出願日： 1992年05月26日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【構成】 半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜の少なくとも一部を酸化セリウムを含む研磨剤によって研磨し、取り除く工程とを有する。【効果】 酸化セリウムを含む研磨剤を用いることにより、シリコン酸化膜やシリコン窒化等の絶縁膜を高速で研磨することができる。また、研磨の際に上記絶縁膜の内部にアルカリ金属汚染を引き起こす事もない。さらに、絶縁膜表面に傷を発生させることなく段差を平坦化しながら研磨することが可能である。従って、半導体装置の製造において、絶縁膜の工程を実用化する事が容易になる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜の少なくとも一部を酸化セリウムを含む研磨剤によって研磨し、取り除く工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 321 ,  B24B 7/22 ,  B24B 37/00

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭58-061663
  
• 特開昭64-087146