特許
J-GLOBAL ID：200903011780123556
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-008884
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243115
出願日： 1992年01月22日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】半導体製造工程における投影露光でのパターン寸法の均一性の向上を目的としている。【構成】本発明の半導体装置の製造方法は、図1(a)に示したパターンを形成するために、図1(b)及び(c)で示した2枚のマスクにより順次露光し現像してパターンを形成する。【効果】本方法によってパターン形成を行なった場合、近接して設置されたパターン相互間の影響をとり除くことができ、パターン寸法の制御性が向上する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上の感光性有機材料膜にマスクを介して転写する所定のパターンを複数枚のマスクから構成される様にし、各々のマスク毎に露光する工程と、前記感光性有機膜に現像処理を施して前記所定のパターンを形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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