特許

J-GLOBAL ID：200903011781147165

半導体ヘテロ超格子

発明者： 鷹箸 継典
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-056622
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268335
出願日： 1993年03月17日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】 半導体ヘテロ超格子に関し、極めて簡単な手段を採ることに依って、GaP-GaAsヘテロ超格子に於けるGaAs層に歪みを導入することを可能にし、量子効率が高い量子井戸を実現し、例えば、高性能の光学遷移素子や半導体レーザなどを得られるようにする。【構成】 Si基板1にGaPからなるバリヤ層3BとGaAsからなる井戸層3Aとで構成された量子井戸であるヘテロ超格子3を形成してある。

請求項（抜粋）：

Si基板にGaPからなるバリヤ層とGaAsからなる井戸層とで構成された量子井戸を形成してなることを特徴とする半導体ヘテロ超格子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/20