特許
J-GLOBAL ID：200903011788452273
半導体装置および半導体レーザー
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-347987
公開番号（公開出願番号）：特開平9-167875
出願日： 1995年12月15日
公開日（公表日）： 1997年06月24日
要約：
【要約】【課題】 電流狭窄構造を有する半導体レーザーにおいて、クラッド層と接してこれと不純物濃度が異なる電流狭窄層や上層のクラッド層を成長させる場合に下地のクラッド層中の不純物の不要な拡散を抑える。【解決手段】 n型GaAs基板1上にn型AlGaInPクラッド層2、アンドープGaInP活性層3、p型AlGaInPクラッド層4などを順次成長させた後、p型AlGaInPクラッド層4などをパターニングしてリッジストライプ部を形成する。電流狭窄構造を形成するためにこのリッジストライプ部の両側の部分に埋め込むn型GaAs電流狭窄層7のうちの下地と接する部分7aの不純物濃度をp型AlGaInPクラッド層4の不純物濃度とほぼ等しく設定する。
請求項（抜粋）：
第1の不純物濃度を有する第1の半導体層と、上記第1の半導体層と接して設けられた上記第1の不純物濃度と異なる第2の不純物濃度を有する第2の半導体層とを有する半導体装置において、上記第2の半導体層のうちの上記第1の半導体層と接する部分の不純物濃度が上記第1の不純物濃度とほぼ等しいことを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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