特許
J-GLOBAL ID：200903011793123326
張り合わせ用半導体ウェーハの研磨表面粗さの管理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-069076
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249599
出願日： 1994年03月14日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：
【要約】【目的】 ウェーハ研磨表面全面の表面粗さの測定を迅速に行うこと、全面の表面粗さを測定し、張り合わせ不良の発生をなくすことを、目的としている。【構成】 張り合わせ用半導体ウェーハの研磨表面にレーザ光を照射してその散乱光量/入射光量の測定を行う。例えばパーティクルカウンタのヘイズレベルが80ppm以下のとき、その半導体ウェーハを用いて張り合わせを行う。接合熱処理を施し、接合面を測定すると、ボイドの発生はなく、良好な張り合わせを行うことができる。この場合、研磨粗さの全面測定は6インチウェーハで1分程度で行える。
請求項（抜粋）：
張り合わせ用半導体ウェーハの研磨表面にレーザ光を照射してその散乱光量/入射光量の測定を行い、その測定値に基づいて、その半導体ウェーハの研磨表面粗さの管理を行うことを特徴とする張り合わせ用半導体ウェーハの研磨表面粗さの管理方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 321
, G01B 11/30 102
, H01L 21/66
, H01S 3/00
