特許

J-GLOBAL ID：200903011799279603

半導体装置及びその製造方法

発明者： 大岸 毅
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-054125
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223793
出願日： 1996年02月16日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】【課題】 高耐圧トランジスタのドレイン耐圧が高くて信頼性が高く且つ電流駆動能力も高い半導体装置を提供する。【解決手段】 チャネル領域23における不純物領域26の不純物で、オフセットドレイン領域である不純物領域25の不純物を補償して、不純物領域25のうちでチャネル領域23側の部分の不純物濃度を低くする。このため、不純物領域25のうちで不純物濃度が低い部分で空乏層を伸ばし且つ不純物濃度が高い部分で寄生抵抗を低減させることができる。また、ドレイン領域と同一導電型の不純物をチャネル領域23の表面に導入して、閾値電圧を所望の値に調整する。

請求項（抜粋）：

ドレイン領域よりも不純物濃度が低いオフセットドレイン領域が前記ドレイン領域とチャネル領域との間に設けられている高耐圧トランジスタを含む半導体装置において、前記ドレイン領域とは反対導電型の不純物領域が前記チャネル領域に設けられており、前記オフセットドレイン領域の不純物が前記不純物領域の不純物に補償されて前記オフセットドレイン領域のうちで前記チャネル領域側の部分の不純物濃度が前記チャネル領域に向かって低くなっており、前記ドレイン領域と同一導電型の不純物が前記チャネル領域の表面に導入されていることを特徴とする半導体装置。