特許

J-GLOBAL ID：200903011805836803

半導体装置

発明者： 中尾 貴博 ,  小林 洋二
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-191235
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009185
出願日： 2000年06月26日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置において、外部への電磁波の放射および外部からの電磁波の侵入を有効に防止できない。【解決手段】 上面に半導体素子2の搭載部1aを、側面に接地導体5を有する絶縁基体1と、搭載部1aに搭載された半導体素子2と、絶縁基体1の上面に搭載部1aを取り囲むように形成され、接地導体6と電気的に接続された枠状導体層4と、絶縁基体1の上面に間に枠状導体層4を挟んで導電性封止剤7を介して接合された、下面に導体層5が形成された絶縁性蓋体3とから成る半導体装置であって、絶縁基体1と絶縁性蓋体3との接合部は、枠状導体層4の周囲に絶縁基体1の露出表面12を設け、導体層5の周囲に絶縁性蓋体3の露出表面13を設けて、これら露出表面12・13同士を対向させるとともに、この対向部分の面積が接合部の面積に占める比率を0.3〜0.9とした半導体装置である。

請求項（抜粋）：

上面に半導体素子の搭載部を有するとともに側面に接地導体が被着形成された絶縁基体と、前記搭載部に搭載された半導体素子と、前記絶縁基体の上面に前記搭載部を取り囲むように被着形成され、前記接地導体と電気的に接続された枠状導体層と、前記絶縁基体の上面に前記枠状導体層を挟んで導電性封止剤を介して接合された、下面に導体層が形成された絶縁性蓋体とから成る半導体装置であって、前記絶縁基体と前記絶縁性蓋体との接合部は、前記枠状導体層の周囲に前記絶縁基体の露出表面を設け、前記導体層の周囲に前記絶縁性蓋体の露出表面を設けて、これら露出表面同士を対向させるとともに、この対向部分の面積が前記接合部の面積に占める比率を0.3〜0.9としてあることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/02 ,  H01L 23/00 ,  H05K 9/00

FI (4件)：

H01L 23/02 H ,  H01L 23/02 B ,  H01L 23/00 C ,  H05K 9/00 Q

Fターム (5件)：

5E321AA03 ,  5E321AA14 ,  5E321GG01 ,  5E321GG05 ,  5E321GH07