特許
J-GLOBAL ID：200903011807601803
化合物半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-033662
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232628
出願日： 1996年02月21日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：
【要約】【課題】 低抵抗オーミック電極を形成することにより、素子抵抗を下げ、素子信頼性に優れた発光素子を実現する。【解決手段】 SiC基板上にInGaAlNを含む化合物半導体層を積層してなり、前記SiC基板としてp型SiC基板を用いる。
請求項（抜粋）：
SiC基板上に形成されたGaxAlyIn1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1)層を含む化合物半導体素子において、該SiC基板としてp型SiC基板を用いることを特徴とする化合物半導体発光素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 E
