特許

J-GLOBAL ID：200903011809620724

半導体装置

発明者： 佐川 みすず ,  井上 宏明
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-092582
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291684
出願日： 1992年04月13日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】高度に集積化された光集積回路または光電気集積回路を得ることを目的とする。【構成】本構造は、GaAs基板上、一方の面上にMBE法によりn型のGaAsとAlAsの超格子により形成されたブラッグ反射鏡6,n-AlGaAsクラッド層,InGaAs歪活性層,p-AlGaAsクラッド層,p型のGaAsとAlAsの超格子により形成されたブラッグ反射鏡10より構成された垂直共振器型半導体レーザ及び電子集積回路,他方の面上に、MBE法によりn-InGaAs層,p-InGaAs層により構成された裏面入射型受光素子,電子集積回路を有する。【効果】半導体基板上両面にエピタキシャル成長により素子を作製し、異なる平面上の素子間の信号のやり取りを光により行うことにより、高集積度された光電子集積回路,光集積回路,電子集積回路で素子間の接続が複雑化されたときに素子間の相互接続が容易になり、集積回路設計の自由度が上がった。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、上記半導体基板の表裏両面に少なくとも1層以上の半導体層をエピタキシャル成長させることにより形成した素子とから成り、上記半導体基板を光導波路として用いることを特徴とする半導体装置。