半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-190995
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037178
出願日： 1992年07月17日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：

【要約】【目的】本発明は、素子間分離が完全でかつ占有面積が小さく、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板1の表面に所定の間口幅の開口部を有するマスクパターンを形成する工程と、半導体基板1をエッチングすることにより溝6を形成する工程と、上記開口部の間口幅を拡大する工程と、少なくとも溝6の内壁に接する面が絶縁物7である埋め込み材料8を溝6および上記開口部に埋め込む工程と、上記マスクパターンを除去することにより埋め込み材料8からなる溝6の蓋体を形成する工程とからなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面に所定の間口幅の開口部を有するマスクパターンを形成する工程と、前記半導体基板をエッチングすることにより溝を形成する工程と、前記開口部の間口幅を拡大する工程と、少なくとも前記溝の内壁に接する面が絶縁物である埋め込み材料を前記溝および前記開口部に埋め込む工程と、前記マスクパターンを除去することにより前記埋め込み材料からなる前記溝の蓋体を形成する工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-280451
特開平4-320354
特開平4-045558

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