特許
J-GLOBAL ID：200903011817262462
液晶表示装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-300959
公開番号（公開出願番号）：特開平6-148682
出願日： 1992年11月11日
公開日（公表日）： 1994年05月27日
要約：
【要約】【目的】 画素部分のTFTのスイッチング特性が優れかつ液晶駆動回路のTFTの信頼性が高い高品質な液晶表示装置を提供する。【構成】 石英絶縁基板1上に、複数の走査線3と複数の信号線5とが直交するように配置されその交差部分ごとにスイッチング用TFT素子7および透明電極からなる画素電極9が配設された表示部分11と、その周囲に配設され前記の複数の走査線3および複数の信号線5に接続される液晶駆動回路13と、その液晶駆動回路13全面を覆うように配設されたプラズマ酸化珪素膜15とによりその主要部が構成され、水素パッシベーションを制御している。
請求項（抜粋）：
複数の走査線と複数の信号線と複数の画素電極と前記走査線および前記信号線および前記画素電極に接続され多結晶シリコンを活性層として持つスイッチング用薄膜トランジスタ素子とを表示部分に有する薄膜トランジスタアレイ基板と、前記画素電極に対向する対向電極を有する対向基板と、前記薄膜トランジスタアレイ基板と前記対向基板との対向して組み合わされた間隙に封入された液晶組成物とを有する液晶表示装置において、多結晶シリコンを活性層として有し前記表示部分の周囲に配設され前記走査線または前記信号線に接続された薄膜トランジスタ素子を有する液晶駆動回路と、前記液晶駆動回路の薄膜トランジスタ素子を覆うプラズマ窒化珪素膜またはプラズマ酸化珪素膜と、前記液晶駆動回路の薄膜トランジスタ素子よりも高い濃度の水素を添加された表示部分のスイッチング用薄膜トランジスタ素子とを具備することを特徴とする液晶表示装置。
IPC (2件)：
G02F 1/136 500
, H01L 29/784
