ポリッシュ工程を備えたトレンチアイソレーションの形成方法及び半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高月亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-285052
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275527
出願日： 1992年09月30日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】広い(長い)凸部領域上に埋め込み材料が残ることなく平坦化を達成でき、よって平坦性の良好なトレンチアイソレーションを形成できる手段、被ポリッシュ部上にポリッシュストッパの作用を示す部分の分布に疎密がある場合にあっても、良好な平坦化形状を形成することができる手段の提供。【構成】等方エッチング工程、多層エッチングストッパ構造、凸部均一化構造を設けることにより、均一な、あるいはポリッシュ残りのないポリッシュを達成して、半導体装置を得る。

請求項（抜粋）：

エッチングと堆積とを同時進行的に行う堆積手段によりトレンチを埋め込む埋め込み工程と、ポリッシュにより埋め込み材料を平坦化するポリッシュ工程とを含むトレンチアイソレーションの形成方法において、ポリッシュ工程前に、埋め込み材料を等方的にエッチングする等方エッチング工程を少なくとも含むことを特徴とするトレンチアイソレーションの形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/76 , H01L 21/304 321

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平3-116753
特開平2-164018
特開昭59-178772

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