特許
J-GLOBAL ID：200903011822539197
外観検査方法および装置ならびに半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-245861
公開番号（公開出願番号）：特開平9-089794
出願日： 1995年09月25日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：
【要約】【課題】 チップ比較とセル比較を併用する半導体ウェハの外観検査装置においてセル部の判定を準備作業無しで検査中に自動的に行う。【解決手段】 照明系11の照明光91にて照明されるXステージ31上のウェハ20から発生し、対物レンズ13によって捕捉された反射光92の一部を、パターン像検出用のセンサ41の手前でビームスプリッタ14により分岐し、分岐側の光路上に瞳結像レンズ15と視野絞り16および瞳光強度分布検出用のセンサ42を配置して対物レンズ瞳131の画像を検出してセル部判定回路55へ送り、正反射光920のピークと、当該正反射光920のピーク位置と1次回折光921のピーク位置の間の信号レベルのと比が閾値よりも小さい時にセル部と判定して判定結果を比較方式選択回路53へ出力し、セル比較処理回路52、チップ比較処理回路51の欠陥の検査結果のいずれかを選択し、コンソール54へ出力する。
請求項（抜粋）：
一主面に複数の素子形成領域が規則的に配列され、個々の前記素子形成領域内の少なくとも一部には繰り返しパターンが形成された半導体ウェハの外観検査方法であって、観察光学系のフーリエ変換面で検出される光強度分布に基づいて前記繰り返しパターンが存在する第1の領域とそれ以外の第2の領域とを実時間で弁別し、前記第1の領域では同一の前記素子形成領域内の前記繰り返しパターン同士を比較する第1の検査方法を実行し、前記第2の領域では、異なる前記素子形成領域同士を比較する第2の検査方法を実行することを特徴とする外観検査方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01N 21/88 E
, H01L 21/66 J
