特許
J-GLOBAL ID：200903011825135810
半導体光素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-283450
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148758
出願日： 1994年11月17日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：
【要約】【目的】 光吸収損の小さいスポットサイズ変換導波路付き半導体光素子を、素子の基本性能の劣化を抑えつつ、単純な構成で製造工程数を減らし、高信頼かつ安価に提供する。【構成】 活性領域とスポットサイズ変換領域の組み合わせからなるメサストライプを有し、前記活性領域は一回の結晶成長によって形成され、前記スポットサイズ変換領域は少なくとも2種類の光ガイド層を有し、表面側に位置する少なくとも一つの光ガイド層は活性領域と素子の光出射あるいは光入射端面の間で終端し、最も半導体基板側に位置する光ガイド層は素子の光出射あるいは光入射端面において終端し、メサストライプの両側面の電流阻止層とスポットサイズ変換領域の最表面層を形成する半絶縁性半導体層が同時に形成されている。
請求項（抜粋）：
第一の導電型を有する半導体基板上に、活性領域とスポットサイズ変換領域の組み合わせからなるメサストライプを有してなり、前記メサストライプ中の活性領域は、第一の導電型を有するバッファ層、少なくとも2種類の光ガイド層、活性層、第二の導電型を有するクラッド層、および電極コンタクト層とからなる積層構造を有し、前記メサストライプ中のスポットサイズ変換領域は、前記第一の導電型を有するバッファ層、前記光ガイド層のうち少なくとも1層、第一の半絶縁性あるいはアンドープ半導体層、および第二の半絶縁性半導体層からなる積層構造を有し、前記メサストライプ中のスポットサイズ変換領域において、活性層側に位置する少なくとも一つの光ガイド層は、前記活性領域と該光素子の光出射あるいは光入射端面の間で終端し、最も半導体基板側に位置する光ガイド層は、該光素子の光出射あるいは光入射端面において終端し、前記メサストライプの両側面には半絶縁性半導体層からなる電流阻止層が設けられ、前記メサストライプ中のスポットサイズ変換領域の最表面層を構成する第二の半絶縁性半導体層は、該メサストライプの両側面の前記電流阻止層を構成する半絶縁性半導体層と同じ組成である、ことを特徴とする半導体光素子。
IPC (2件)：
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