エピタキシャル成長装置及びそれを用いた化合物半導体薄膜結晶の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-238220
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068418
出願日： 1999年08月25日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：

【要約】【課題】反応管外部で発生した不純物が内部へ混入することを抑止し、高純度な化合物半導体薄膜結晶のエピタキシャル成長を実現すること。【解決手段】原料ガスが流通する反応管の上部壁にサセプタ3を設け、このサセプタ3に基板4とほぼ同じ形状に開口部5を開け、この開口部5内に基板4の表面を下向きに支持すると共に、前記基板を加熱するヒータ21に面して前記開口部5に均熱板7をはめ込んだエピタキシャル成長装置において、前記均熱板7と前記基板4との厚さの和がサセプタ3より厚くなるようにし、且つ前記均熱板7の前記基板と接触しない面側につば状部7aを形成し、該つば状部により基板4とサセプタ3間の隙間を覆った構成とする。

請求項（抜粋）：

原料ガスが流通する反応管内に又は反応管の上部壁の一部として板状のサセプタを設け、このサセプタに気相エピタキシャル成長の対象である基板とほぼ同じ形状に開口部を開け、この開口部内に基板の表面を下向きに支持すると共に、前記基板を加熱する加熱源に面するように前記開口部に均熱板をはめ込んだエピタキシャル成長装置において、前記均熱板と前記基板との厚さの和がサセプタより厚くなるようにし、且つ前記均熱板の前記基板と接触しない面側に外周を半径方向に広げたつば状部を形成し、該つば状部により基板とサセプタ間の隙間を覆ったことを特徴とするエピタキシャル成長装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , C30B 25/12

FI (2件)：

H01L 21/205 , C30B 25/12

Fターム (22件)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077BE46 , 4G077BE47 , 4G077DA02 , 4G077DA09 , 4G077EG03 , 4G077EG16 , 4G077SA04 , 4G077SA11 , 4G077SA12 , 5F045AA04 , 5F045AB10 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC07 , 5F045AD09 , 5F045AF04 , 5F045BB14 , 5F045DP14 , 5F045EM02 , 5F045EM10

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